适于三维集成的阻变存储器关键技术研究-31513040303-信息系统2017预研
发布时间：2017-08-29
对接截止时间：2017-09-21
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功能用途
备注：2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接，请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范（试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向：开展基于三维集成的阻变存储器关键技术研究，研究RRAM存储器件的芯片架构、集成工艺,完成 3D RRAM 器件样品试制。
牵引性指标：RRAM阻变存储器擦写速度低于20ns，阻变耐久力特性大于109次，阻变功耗低于1pJ；三维RRAM存储器件样品。
进度要求：2017～2019年。
成果形式：样品、专利、论文、技术报告、国防报告等。
最大支持单位数：1，每家单位经费限额：350万元。
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