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大电流密度阴极技术-31512010401-1-信息系统2017预研

发布时间:2017-08-29 对接截止时间:2017-09-21 点击数:297 已对接企业数量:
功能用途
备注:2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接,请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范(试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向:针对下一代太赫兹器件、高功率微波源对高性能电子源的需求,开展大电流密度阴极技术研究,突破高均匀阴极粉体技术、高发射活性物质技术、低逸出功膜层技术等关键技术,研制出满足太赫兹器件需要的大电流密度阴极样品。 牵引性指标:(1)二极管内,温度≤1150℃时,脉冲发射电流密度≥200A/cm2,占空比0.01%;(2)电子枪内,温度≤1150℃时,脉冲发射电流密度≥150A/cm2,占空比0.01%;(3)电子枪内,电流密度≥50A/cm2下,寿命≥2000小时,脉宽≥20μs,工作比≥5%;(5)技术成熟度:5级。 进度要求:2017~2019年。 成果形式:样品、研究报告等。 最大支持单位数:2,每家单位经费限额:250万元。
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