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高频石墨烯FET器件及电路关键技术研究-31513020404-2-信息系统2017预研

发布时间:2017-08-29 对接截止时间:2017-09-21 点击数:254 已对接企业数量:
功能用途
备注:2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接,请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范(试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向:石墨烯与衬底材料、栅极材料相互作用及对应的钝化技术;低界面态石墨烯高K栅介质工艺研究;石墨烯场效应晶体管的寄生效应及其抑制研究;石墨烯载流子输运机制研究;建立石墨烯FET器件小信号模型;设计石墨烯低噪声放大器电路拓扑;石墨烯低噪声放大器研制。 牵引性指标:石墨烯FET器件,fT≥500GHz;fmax≥300GHz;Ku波段石墨烯低噪声放大器MMIC,增益≥10dB,噪声系数<4dB。 进度要求:2017~2019年。 成果形式:样品、论文、专利、技术报告、国防报告等。 最大支持单位数:2,每家单位经费限额:250万元。
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