SOI基CMOS-MEMS单片集成技术-31513060209-信息系统2017预研
发布时间：2017-08-29
对接截止时间：2017-09-21
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功能用途
备注：2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接，请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范（试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向：开发一种压阻式微悬臂梁与SOI CMOS电路的单片集成设计方法和集成制造工艺；提供一种广泛适用的集成微系统解决方案；为复杂环境下多源信息获取提供一种有效的技术手段。包括1） SOI CMOS兼容的阵列式压阻微悬臂梁的设计制造和可靠性技术研究；2）高精度、低噪声传感检测电路系统的设计研究；3）基于SOI CMOS工艺的传感微系统的集成化设计研究；4）传感微系统的SOI集成制造技术及其工艺兼容性研究。
牵引性指标：（1）SOI基微悬臂梁与CMOS电路的单片集成；（2）最小可探测位移≤10nm；（3）输出信号稳定性≤3μV@3V；（4）检测通道≤3路；（5）技术成熟度达到4级。
进度要求：2017～2019年。
成果形式：样片，论文、专利，全套技术文件（包括设计文件、工艺文件、测试报告、研究报告）等。
最大支持单位数：1，每家单位经费限额：350万元。
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