高速、高功率密度硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率集成技术研究-31513030208-信息系统2017预研
发布时间：2017-08-29
对接截止时间：2017-09-21
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功能用途
备注：2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接，请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范（试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向：开展硅基GaN增强型器件的高稳定和大范围阈值电压调整技术、高速高功率GaN器件封装技术、高频高功率密度功率拓扑、高速高可靠性栅驱动IC等研究。
牵引性指标：硅基GaN（GaN-on-Si）功率器件常温下器件阈值电压大于3V，阈值电压回滞小于1V，直流导通电流大于30A；600V等级器件动/静态导通电阻比小于2；600V等级DC-DC、AC-DC电源管理模块，工作频率100～500kHz，功率大于1000W，能量转换效率大于90%；GaN-on-Si功率器件专用驱动与保护电路及其SoC/SiP集成关键技术研究，开发600V等级功率器件专用驱动电路验证芯片。
进度要求：2017～2019年。
成果形式：样品、专利、论文、技术报告、国防报告等。
最大支持单位数：1，每家单位经费限额：350万元。
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