高频率真空器件用光电阴极技术-31512010404-1-信息系统2017预研
发布时间：2017-08-29
对接截止时间：2017-09-21
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已对接企业数量：
功能用途
备注：2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接，请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范（试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向：针对高频率与小型化的真空微波器件对高性能与快响应电子源的需求，开展适应于强光照射的大电流密度III-V族元素光电阴极制备技术研究，突破强光照射条件下光电阴极电子发射机理与表面态性质、光电阴极晶体材料结构设计与生长、光电阴极材料净化与激活封装工艺以及光电阴极高频率性能测试与评估等关键技术，研制出具有太赫兹频率响应特性的大电流密度光电阴极样品。
牵引性指标：(1)直流发射电流密度≥1A/cm2；(2)阴极直径≤1mm；(3)阴极量子效率范围10-4～10-2；(4)技术成熟度：5级。
进度要求：2017～2019年。
成果形式：样品、研究报告等。
最大支持单位数：2，每家单位经费限额：250万元。
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