重点实验室基金-61428010211-超宽带Ga2O3 MOSFET器件输运特性及器件基础研究
发布时间：2017-05-19
对接截止时间：2017-06-19
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功能用途
针对高耐压功率器件对单晶氧化镓外延材料的需求，研究单晶氧化镓外延生长机理和掺杂技术，实现单晶氧化镓外延材料室温下n型载流子浓度≥1×1018cm-3，满足氧化镓MOSFET器件研制需求。
主要指标
联系人：许婧；办公电话：0311-87091439；项目受理详细地址：河北省石家庄市新华区合作路113号
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