2016XF0001-GaN微波功率场效应晶体管CGH40025F（A组）
发布时间：2016-08-11
对接截止时间：2016-08-25
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功能用途
GaN功率放大芯片，具有宽带高效率特性，适合宽带功放设计。
主要指标
封装：14.09×9.14×3.43(mm)，封装形式：陶瓷封装。性能指标：工作频率30MHz～6GHz，15dB小信号增益@2GHz，饱和功率30W，效率62%，工作电压28V。环境适应性：符合GJB360B-2009电子及电气元器件试验方法。工作环境温度范围：-45℃～+125℃，储存温度范围：-55℃～+150℃。备注:1.研制周期≤3年；
2.研制经费≤200万元。
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