N沟道MOSFET
发布时间：2016-08-02
对接截止时间：2016-08-08
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已对接企业数量：
功能用途
用于装备研制生产
主要指标
漏电流：29A(10secs),18A(steady state);总耗散功率：5.4W(10secs),1.9W(steady state);开启电压：1～3V;关断时间＝110ns;上升时间＝15ns;下降时间＝35ns;结到环境的热阻：18℃/W(10secs),50℃/W(steady state);漏源击穿电压≥30V;漏源通态电阻≤0.00425Ω;漏源饱和电流≤5μA;跨导≥90S;栅源击穿电压：±20V;开通时间＝30ns;结到管壳间的热阻≤1℃/W
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