P沟道MOSFET
发布时间：2016-08-02
对接截止时间：2016-08-08
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已对接企业数量：
功能用途
用于装备研制生产
主要指标
结到环境的热阻＝38℃/W;总耗散功率＝5W;开启电压：-3～-1V;漏源通态电阻≤0.035Ω;关断时间≤70ns;开通时间≤70ns;漏电流≥-30A;上升时间≤60ns;下降时间≤30ns;漏源击穿电压≥-30V;漏源饱和电流≤-1μA;跨导≥23S;栅源击穿电压：±20V
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