P沟道MOSFET SUM90P10-19L
发布时间：2016-07-31
对接截止时间：2016-08-14
点击数：124
已对接企业数量：
功能用途
用于装备研制生产。各单位需按时限在全军武器装备采购信息网进行需求对接，并线下提交申报材料，格式参照2014年原总装备部电子装备局《军用电子元器件需求论证报告》。线下提交材料请与海军701检测中心李晋忠副主任联系，电话：18601312528，010-64321879。
主要指标
1、封装：TO-263 2、性能参数：工作温度范围：-55～175℃(结温);总耗散功率：375W;漏源击穿电压≥-100V;漏极电流≤-90A;开启电压：-3～-1V;漏源通态电阻≤0.021Ω;漏源饱和电流≤-500μA;跨导：80S;最高结温：175℃;结到管壳间的热阻：0.33℃/W 3、环境适应性：符合GJB128A-1997半导体分立器件试验方法
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