1200V SiC MOSFET器件
发布时间：2016-07-13
对接截止时间：2016-07-27
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功能用途
应用于电力电子系统中，实现在高压大功率电源模块中耐压的功能。
主要指标
共2个品种。产品指标：漏元击穿电压：BVDSS≥1200V@ID=100µA；阈值电压：VGS(th)=(2.0～4.0)V@ID=1.25～2.5mA。
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